Optane Memory 30.03.2017, 10:12 Uhr

Intel gibt Startschuss für 3D XPoint am Desktop

Nachdem bereits Server-SSDs mit 3D-XPoint-Technologie auf dem Markt sind, soll Intels Optane Memory nun auch Desktop-PCs zu neuer Geschwindigkeit verhelfen.
(Quelle: Intel)
Intel will seine Optane-Memory-Riegel ab dem 24. April auf den Massenmarkt bringen. Die kleinen M.2-Steckmodule mit dem neuen Speichertyp 3D XPoint (gesprochen "Crosspoint") dienen aber nicht als reguläre SSD-Laufwerke für den Endkunden. Die 16-GB- und 32-GB-Riegel erfüllen stattdessen mit den niedrigen Latenzen im Consumer-PC die Aufgabe eines sehr schnellen Zwischenspeichers. Spürbare Systembeschleunigungen ergeben sich Intel zufolge vor allem im Zusammenspiel mit konventionellen Magnetfestplatten.
Intel selbst beschreibt die Leistungssteigerung durch Optane Memory anhand einiger Beispiele: So werde man einen Core-i7-Rechner gleich zweimal so schnell hochfahren können. Die allgemeine Systemperformance werde mit Intel Optane Memory um 28 Prozent schneller sein. Anwendungen wie Outlook sollen dann etwa sechs Mal schneller starten. Gamer würden Spielestarts mit etwa 65 Prozent Geschwindigkeitszuwachs zu spüren bekommen.

Kaby Lake wird vorausgesetzt

Zum Aufrüsten eignen sich die Intel-Blitzspeicher indessen nicht. Man wird eine Plattform mit der siebten Core-i-Generation von Intel (Kaby Lake) benötigen, die auf dem Intel-200er-Chipsatz basiert. Darüber hinaus muss das Motherboard M.2-Slots für die SSD-Module bereithalten. Eine spezielle Firmware und eine aktuelle Version des Intel-Rapid-Storage-Treibers (15.5) kommen dann bei der Inbetriebnahme und Steuerung zum Einsatz. Wahrscheinlich werden sich aber viele Motherboards der aktuellen Generation per BIOS-Upgrade nachrüsten lassen.
Voraussichtlich im Sommer wird es dann auch erste Komplettsysteme von Hardware-Herstellern am Markt erscheinen.
In Rechenzentren verfolgt Intel mit den neuen Optane-SSDs einen anderen Ansatz. Dort werden sie als Alternativen zu Enterprise-SSD-Laufwerken eingesetzt. Ausserdem sind noch DRAM-Arbeitsspeicher mit der neuen Intel-Technik geplant.



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