Flash-Arrays sind schnell wie der Blitz
Der Flash-Speicher-Markt im Enterprise-Umfeld
Die Preise für professionelle Solid State Drives für den Einsatz im Enterprise-Umfeld sind jedoch noch immer um Welten höher als die für die mechanischen und rotierenden Pendants – ganz im Gegensatz zum Consumer-Markt, wo sich die Preise pro GByte Speicherplatz von Solid States Drives langsam aber sicher denen von herkömmlichen Festplatten annähern.
Der Grund liegt unter anderem darin, dass Solid State Drives für den Enterprise-Bereich erheblich höhere Anforderungen an die Zuverlässigkeit und Ausdauer im Vergleich zu Consumer-Modellen erfüllen müssen. So laufen SSDs in einem Rechenzentrum in der Regel täglich rund um die Uhr.
Und da kommen die Nachteile von SSDs zum Tragen: Neben der immanenten Fehleranfälligkeit, die sich durch Software ausgleichen lässt, ist das vor allem die Lebensdauer. So haben SSDs wie erwähnt nur eine begrenzte Lebensdauer und ermöglichen nur eine beschränkte Anzahl an Schreibzyklen – oft als Total Bytes Written (TBW) oder Drive Writes Per Day (DWPD) angegeben.
Der mittlerweile von vielen Herstellern genannte DWPD-Wert gibt an, wie oft sich die SSD während ihrer zu erwartenden Einsatzdauer von in der Regel fünf Jahren täglich komplett be- beziehungsweise überschreiben lässt.
Um die hohen Anforderungen für den Einsatz in Rechenzentren zu erfüllen, setzen die Hersteller von Solid State Drives bei ihren Enterprise-Modellen auf hochwertigere Komponenten, etwa bei der Qualität des Flash-Dies. Zudem kommen in den SSDs unter anderem Extras wie Kondensatoren zum Einsatz, die bei einem Stromausfall dafür sorgen, dass das Flash-Laufwerk seine Schreibvorgänge noch zu Ende führen kann.
Die Hersteller von Enterprise-SSDs setzen mittlerweile fast nur auf MLC-NAND-Speicher (Multi-Level Cells) anstelle des langlebigeren, aber deutlich teureren SLC-NAND-Speichers (Single-Level Cells). Dafür hat MLC-NAND-Speicher andere Vorteile: MLC speichert im Gegensatz zu SLC mehrere Bits pro Zelle – und ermöglicht eine höhere Kapazität auf der gleichen Chip-Fläche. Die Entwicklung geht jedoch noch weiter in diese Richtung, etwa mit in mehreren Lagen gestapelten Zellen wie beim 3D-V-NAND (Vertical NAND) von Samsung.
Neues gibt es von Intel und Micron: Die Speichertechnik 3D XPoint soll bis zu 1000-mal schneller und bis zu 1000-mal haltbarer sein als bisheriger Flash-Speicher. Die Datendichte soll bis zu 10-mal höher sein. Erste Speicher werden jedoch nicht vor Mitte nächsten Jahres erwartet.