Phase-Change Memory und Racetrack-Speicher

Mit PCM können im Gegensatz zu NAND-Flash-Bausteinen einzelne Zellen beschrieben und gelesen werden. Die Zugriffszeiten liegen dabei im Nanosekunden-Bereich und die Zuverlässigkeit ist deutlich höher als bei Flash. Die Technik hat ein grosses Potenzial, der kommerzielle Durchbruch steht jedoch noch bevor. So konnte IBM zwar bereits im vergangenen Jahr PCM-Komponenten mit 2- und 3-Bit-Zellen demonstrieren, marktreif sind sie allerdings noch nicht.

Intel und Micron haben mit der 3D-XPoint-Technik angekündigt, den Speichermarkt verändern zu wollen. In der Branche wird spekuliert, dass die Technik auf PCM basiert.  Daneben wollen auch HP und Sandisk bei der Entwicklung neuer Speichertechniken zusammenarbeiten. Konkrete Termine für Produkte gibt es in beiden Fällen noch nicht.

Ausser an PCM-basierten Lösungen wird an weiteren Alternativen geforscht. Dazu zählt zum Beispiel die Racetrack-Speichertechnik.

Diese Technik fusst auf der Idee, dass Daten mit Hilfe gegensätzlich magnetisierter Bereiche auf ferromagnetischen Nanodrähten gespeichert werden und über Racetracks (Leseköpfe) sehr schnell (20 ns) auf den Nanodrähten verschoben werden können. Ausserdem können auf Racetrack-
basierten Speicherkomponenten etwa 100-mal mehr Daten als auf Flash-Bausteinen gespeichert werden – und das bei gleichem Platzbedarf.

Ein weiterer Ansatz basiert auf Kohlenstoff-Nanomaterialien, die sehr kleine und sehr stabile Strukturen ermöglichen. Daher werden die Kohlenstoff-Nanoröhrchen schon heute als künfti­­ge Ersatztechnologie für Transistoren gehandelt, sobald die Strukturen die 5-Nanometer-Grenze unterschreiten.